Šķiet, ka jūsu pārlūkā ir atspējots JavaScript. Dažas šīs lapas funkcijas nedarbosies, ja nebūsiet pieteicies.

Vai redzat kļūdu?

PSMN2R0-30BL,118

Attēli ir tikai atsauce
Skatiet produkta specifikāciju

Mouser Nr.:

771-PSMN2R0-30BL,118

Raž. Nr.:

PSMN2R0-30BL,118

Raž.:

Nexperia

Apraksts:

MOSFET Std N-chanMOSFET

Dzīves cikls:

Beidzies kalpošanas laiks:

Plānots, ka šie produkti būs novecojuši, un ražotājs pārtrauks to ražošanu.

Datu lapa:

PSMN2R0-30BL,118 Datu lapa (PDF)

ECAD modelis:

Lejupielādējiet bezmaksas Bibliotēkas ielādētāju, lai pārveidotu failu savam ECAD rīkam. Uzziniet vairāk par ECAD modeļiem.

Brīdinājums par piegādi:

"Mouser" pašlaik nepārdod šo produktu Jūsu reģionā.

Pieejamība

Noliktavas krājumi:: Radās negaidīta kļūda. Lūdzu, vēlāk mēģiniet vēlreiz.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkta atribūts	Priekšmeta vērtība	Atlasīt atribūtu
Ražotājs:	Nexperia
Produktu kategorija:	MOSFET
Piegādes ierobežojumi:	"Mouser" pašlaik nepārdod šo produktu Jūsu reģionā.
RoHS:
REACH - SVHC:
Tehnoloģija:	Si
Montāžas veids:	SMD/SMT
Iepakojums / korpusa:	D2PAK-3 (TO-263-3)
VDS - DS pārtraukuma spriegums:	30 V
Iepakojums:	Reel
Iepakojums:	Cut Tape
Iepakojums:	MouseReel
Zīmols:	Nexperia
Produkta tips:	MOSFETs
Rūpnīcas iepakojuma daudzums:	800
Apakškategorija:	Transistors
Detaļu # pseidonīmi:	934066341118
Preces svars:	4 g

Atrastie produkti:

Lai parādītu līdzīgus produktus, atzīmējiet vismaz vienu izvēles rūtiņu.

Atzīmējiet vismaz vienu izvēles rūtiņu (augstāk), lai parādītos līdzīgie produkti šajā kategorijā.

Izvēlētie atribūti: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Filtrēt dokumentu:

Datu lapa

PSMN2R0-30BL,118 Datu lapa (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs - EXPANSION - INACTIVE

Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs have been expanded by adding additional drain current (I_D), drain-source on-state resistance (R_DS(on)), gate-drain charge (Q_GD), and total power dissipation (P_tot) ratings. All of these packages are qualified with a junction temperature up to 175ºC. They are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. They are highly efficient due to low switching and conduction losses and are suitable for standard level gate drive sources. Some of these are optimized for 4.5V gate drive utilizing NextPower Superjunction technology and have ultra-low Q_G, Q_GD and Q_OSS for high system efficiencies at low and high loads. Typical applications for these devices include dc-to-dc converters, load switching, motor control, synchronous buck regulators, and server power supplies.
Learn More

Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs include standard and logic level, regular and enhancement mode, N-Channel MOSFETs in LFPAK, I2PAK, TO-220, and DFN3333-8 packages qualified to 150°C or 175°C. These Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. The Nexperia logic level enhancement mode N-Channel MOSFETs in LFPAK packages feature ultra low Q_G, Q_GD, and Q_OSS for high system efficiencies at low and high loads, and ultra low R_DSon and low parasitic inductance. They are also optimized for 4.5V gate drive utilising NextPower Superjunction technology. The Nexperia standard and logic level N-Channel MOSFETs in I2PAK and TO-220 packages feature high efficiency due to low switching and conduction losses and are suitable for standard or logic level gate drive sources.

View the entire PSMNxxx Series N-Channel MOSFETs