RQ3xFRATCB jaudas MOSFET

ROHM Semiconductor  RQ3xFRATCB jaudas MOSFET ir AEC kvalifikācijai atbilstoši un automobiļiem paredzēti MOSFET. Šiem MOSFET ir noplūdes-avota sprieguma diapazons no -40 V līdz 100 V, 8 spailes, izkliedētā jauda līdz 69 W un nepārtraukta noplūdes strāva no ±12 A  līdz ±27 A. RQ3xFRATCB jaudas MOSFET ir pieejami N kanāla un P kanāla versijās. Šie jaudas MOSFET ir iestrādāti nelielā 3,3 mm x 3,3 mm HSMT8AG korpusā. RQ3xFRATCB jaudas MOSFET ir ideāli piemēroti automātiskās drošības sistēmām (ADAS), informācijas un izklaides sistēmām, apgaismojumam un virsbūvei.

Rezultāti: 3
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Tehnoloģija
Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tranzistora polaritāte
Kanālu skaits
VDS - DS pārtraukuma spriegums
Id - nepārtraukta noplūdes strāva
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība
VGS - kanāla-avota spriegums
VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums
Qg - kanāla lādiņš
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Pd - jaudas izkliede
Kanāla režīms
Iepakojums
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -40V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Datu lapa
3 830Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 27 A 22 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Datu lapa
2 997Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 48 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Datu lapa
2 795Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 106 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape