High Voltage Fast Switching Transistors

onsemi's high voltage fast switching transistors are bipolar junction transistors that provide ultra-fast switching speeds and low saturation voltage. The FJD5555 offers saturation voltage as low as 0.5V and the FJD5553 as low as 0.23V. The energy-efficient transistors feature a high breakdown voltage of 1050V and are packed in space-conserving 64mm2 DPAK packaging. The devices are ideal for electronic ballast, power supply, and industrial designs.

Rezultāti: 2
Atlasīt Attēls Detaļas Nr. Raž. Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu. Daudz. RoHS ECAD modelis Tehnoloģija Montāžas veids Iepakojums / korpusa Tranzistora polaritāte Konfigurācija Maksimālā kolektora līdzstrāva Kolektors - starotāja spriegums, VCEO maks. Kolektors - pamatspriegums VCBO Starotājs - pamata spriegums VEBO Kolektora-starotāja piesātinājuma spriegums Pd - jaudas izkliede Maksimālā darba temperatūra Sērija Iepakojums

onsemi Bipolārais transistors (BJT) High Volt Fast Switching Trans 34 798Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 3 A 400 V 1.05 kV 14 V 230 mV 1.25 W + 150 C FJD5553 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Bipolārais transistors (BJT) High Volt Fast Switching Trans 3 144Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 5 A 400 V 1.05 kV 14 V 1.5 V 1.34 W + 150 C FJD5555 Reel, Cut Tape, MouseReel