600V Power Schottky Silicon Carbide Diode

STMicroelectronics' 600V Power Schottky Silicon Carbide Diodes are ultra high performance power Schottky diodes. They are manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material of these allows the design of a Schottky diode structured with a 600V rating. Due to the Schottky construction of these diodes no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These Power Schottky Silicon Carbide Diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.

Rezultāti: 3
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Konfigurācija
If - tiešā strāva
Vrrm - atkārtots pretspriegums
Vf - tiešais spriegums
Ifsm - tiešā impulsstrāva
IR - pretstrāva
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Sērija
Iepakojums
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes 600 V Power Schottky Diode
Datu lapa
680Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

SMD/SMT DPAK Single 4 A 600 V 1.9 V 14 A 50 uA - 40 C + 175 C STPSC Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes 600 V Power Schottky Diode
Datu lapa
Nav noliktavā
Min.: 1 000
Vair.: 1 000

Through Hole TO-220AC-2 Single 4 A 600 V 1.9 V 14 A 50 uA - 40 C + 175 C STPSC Tube
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes 600V Power Schottky 8A 10 nC No Reverse
Datu lapa
Nav noliktavā
Min.: 1 000
Vair.: 1 000
Rullis: 1 000

Through Hole D2PAK Single 8 A 600 V 1.7 V 30 A 100 uA - 40 C + 175 C STPSC Reel