MJD31C & MJD32C 100V 3A Bipolar Transistors

Nexperia MJD31C and MJD32C 100V 3A Bipolar Junction Transistors (BJT) offer high thermal power dissipation in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. These devices provide high energy efficiency due to low heat generation and feature low collector-emitter saturation voltage. The Nexperia MJD31C and MJD32C are ideal for various applications, including linear voltage regulators, power management, and constant current drive backlighting.

Rezultāti: 3
Atlasīt Attēls Detaļas Nr. Raž. Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu. Daudz. RoHS ECAD modelis Tehnoloģija Montāžas veids Iepakojums / korpusa Tranzistora polaritāte Konfigurācija Maksimālā kolektora līdzstrāva Kolektors - starotāja spriegums, VCEO maks. Starotājs - pamata spriegums VEBO Kolektora-starotāja piesātinājuma spriegums Pd - jaudas izkliede Pieauguma joslas platuma produkts fT Minimālā darba temperatūra Maksimālā darba temperatūra Iepakojums
Nexperia Bipolārais transistors (BJT) SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT 209Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Maks.: 209
Rullis: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolārais transistors (BJT) SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT 1 836Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Maks.: 1 836
Rullis: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolārais transistors (BJT) SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT 1 388Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Maks.: 1 388
Rullis: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel