4G/5G Low Noise Amplifiers

Infineon Technologies 4G/5G Low Noise Amplifiers are designed for LTE and 5G, covering a wide frequency range. The 4G/5G Low Noise Amplifiers gain step features the gain and linearity that can adjust to increase the dynamic system range and accommodate changing interference scenarios.

Rezultāti: 5
Atlasīt Attēls Detaļas Nr. Raž. Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu. Daudz. RoHS ECAD modelis Darbības frekvence Darba barošanas spriegums Darba barošanas strāva Pieaugums NF - trokšņa rādītājs Tips Montāžas veids Iepakojums / korpusa Tehnoloģija P1dB - kompresijas punkts OIP3 - trešās kārtas pārtveršana Minimālā darba temperatūra Maksimālā darba temperatūra Iepakojums
Infineon Technologies RF pastiprinātājs RF MMIC 3 TO 6 GHZ 11 412Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 15 000
1.4 GHz to 2.7 GHz 1.8 V 5.8 mA 20.2 dB 11.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT TSNP-9-2 Si - 17 dBm Reel, Cut Tape
Infineon Technologies RF pastiprinātājs 7x LNA Bank with Output Cross-Switch for 5G 4 500Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 5 000

600 MHz to 2.7 GHz 1.2 V, 1.8 V 21 dB 0.8 dB SMD/SMT PG-WF2BGA-50-2 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies RF pastiprinātājs RF MMIC 3 TO 6 GHZ 6 945Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 12 000

2.3 GHz to 2.7 GHz 1.1 V to 3.3 V 2.2 mA 20.3 dB 0.6 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TSNP-6-10 Si - 17 dBm - 7 dBm - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies RF pastiprinātājs RF MMIC 3 TO 6 GHZ Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 20 Nedēļas
Min.: 12 000
Vair.: 12 000
Rullis: 12 000

4.4 GHz to 5 GHz 1.1 V to 2 V 5.6 mA 19 dB 1 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SiGe - 19 dBm - 7 dBm - 30 C + 85 C Reel
Infineon Technologies RF pastiprinātājs RF MMIC 3 TO 6 GHZ Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 20 Nedēļas
Min.: 12 000
Vair.: 12 000
Rullis: 12 000

3.3 GHz to 4.2 GHz 1.1 V to 2 V 5.8 mA 21 dB 0.75 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SiGe - 18 dBm - 7 dBm - 30 C + 85 C Reel