RFxDNZ Super Fast Recovery Diodes

ROHM Semiconductor RFxDNZ Super Fast Recovery Diodes are cathode common dual type diodes featuring low forward voltage and low switching loss. These recovery diodes include silicon epitaxial planar type construction. The RFxDNZ recovery diodes are stored at -55°C to 150°C temperature range. These fast recovery diodes operate at 150°C junction temperature and 10μA reverse current. The RFxDNZ super-fast recovery diodes are ideal for use in general rectification.

Rezultāti: 5
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Vr - pretspriegums
If - tiešā strāva
Tips
Konfigurācija
Vf - tiešais spriegums
Maksimālā pārsprieguma strāva
IR - pretstrāva
Atjaunošanas laiks
Maksimālā darba temperatūra
Iepakojums
ROHM Semiconductor Taisngrieži Super Fast Recovery Diode
Datu lapa
5 721Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-220FN-3 300 V 20 A Super Fast Recovery Diode Dual 1.3 V 100 A 10 uA 25 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Taisngrieži Super Fast Recovery Diode
Datu lapa
1 015Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-220FN-3 200 V 20 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 100 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Taisngrieži Super Fast Recovery Diode
Datu lapa
1 092Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-220FN-3 200 V 10 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 80 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Taisngrieži Super Fast Recovery Diode
Datu lapa
976Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-220FN-3 200 V 6 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 60 A 10 uA 25 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Taisngrieži Super Fast Recovery Diode
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 12 Nedēļas
Min.: 1 000
Vair.: 1 000

Through Hole TO-220FN-3 200 V 16 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 100 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube