Visi rezultāti (11)

Lai skatītu filtrēšanas iespējas un sašaurinātu meklēšanas iespējas, izvēlieties kategoriju.
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Datu lapa
389Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Datu lapa
1 162Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Datu lapa
695Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Datu lapa
104Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Datu lapa
149Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Datu lapa
902Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Datu lapa
60Ir noliktavā
1 350Paredzamais 28.10.2026
Min.: 1
Vair.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Datu lapa
28Ir noliktavā
450Paredzamais 06.07.2026
Min.: 1
Vair.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Datu lapa
24Ir noliktavā
3 150Pēc pasūtījuma
Min.: 1
Vair.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Datu lapa
1 190Pēc pasūtījuma
Min.: 1
Vair.: 1

ROHM Semiconductor Barošanas pārvaldības IS izstrādes rīki Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 12 Nedēļas
Min.: 1
Vair.: 1