Visi rezultāti (11)

Lai skatītu filtrēšanas iespējas un sašaurinātu meklēšanas iespējas, izvēlieties kategoriju.
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Datu lapa
1 494Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Datu lapa
695Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Datu lapa
1 021Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Datu lapa
102Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Datu lapa
322Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Datu lapa
839Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Datu lapa
5Ir noliktavā
450Paredzamais 12.03.2026
Min.: 1
Vair.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Datu lapa
92Ir noliktavā
450Paredzamais 20.05.2026
Min.: 1
Vair.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Datu lapa
24Ir noliktavā
1 350Pēc pasūtījuma
Min.: 1
Vair.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Datu lapa
1 197Pēc pasūtījuma
Min.: 1
Vair.: 1

ROHM Semiconductor Barošanas pārvaldības IS izstrādes rīki Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 12 Nedēļas
Min.: 1
Vair.: 1