ART2K0 LDMOS RF Power Transistors

Ampleon ART2K0 LDMOS RF Power Transistors are based on Advanced Rugged Technology (ART) and designed to cover various ISM, broadcast, and communications applications. The unmatched 2000W LDMOS devices have a frequency range of 1MHz to 400MHz. Designed for broadband operation, the Ampleon ART2K0 transistors deliver high efficiency and excellent thermal stability/ruggedness with no device degradation.

Rezultāti: 4
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Tranzistora polaritāte
Tehnoloģija
VDS - DS pārtraukuma spriegums
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība
Darbības frekvence
Pieaugums
Izejas jauda
Maksimālā darba temperatūra
Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Iepakojums
Ampleon RF MOSFET tranzistori ART2K0FES/SOT539/TRAY
Datu lapa
430Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray
Ampleon RF MOSFET tranzistori ART2K0FE/SOT539/TRAY
Datu lapa
464Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C Screw Mount SOT539AN-5 Tray
Ampleon RF MOSFET tranzistori ART2K0FEG/SOT1248/REEL
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 16 Nedēļas
Min.: 100
Vair.: 100
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon RF MOSFET tranzistori ART2K0FES/SOT539/TRAY
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 16 Nedēļas
Min.: 100
Vair.: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray