GCMX 1 200 V SIC MOSFET pilna tilta moduļi

SemiQ GCMX 1 200 V SiC MOSFET pustilta moduļi nodrošina zemus komutācijas zudumus, zemu termisko pretestību starp savienojumu un korpusu, kā arī ļoti izturīgu un vienkāršu montāžu. Šajos moduļos ir tieši uzstādīts dzesēšanas radiators (izolēts iepakojums), un tie ietver Kelvina atskaites punktu stabilai darbībai. Visas detaļas ir stingri pārbaudītas, lai izturētu spriegumu virs 1 350 V. Šo moduļu raksturīgākā iezīme ir stabilais 1 200 V izteces-noteces spriegums. GCMX pilna tilta moduļi darbojas 175°C savienojuma temperatūrā un atbilst RoHS prasībām. Tipiski lietojumi ir fotoelektriskie invertori, akumulatoru lādētāji, enerģijas uzkrāšanas sistēmas un augstsprieguma DC-DC pārveidotāji.

Rezultāti: 9
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Tehnoloģija
Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tranzistora polaritāte
Kanālu skaits
VDS - DS pārtraukuma spriegums
Id - nepārtraukta noplūdes strāva
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība
VGS - kanāla-avota spriegums
VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Pd - jaudas izkliede
Sērija
Iepakojums
SemiQ MOSFET moduļi SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
Datu lapa
31Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 40

SiC Press Fit N-Channel 1.2 kV 53 A 38 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 208 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET moduļi SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
Datu lapa
35Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 40

SiC Press Fit N-Channel 1.2 kV 27 A 77 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 119 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET moduļi 1200V, 10mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 20 Nedēļas
Min.: 1
Vair.: 1

SiC Press Fit B3 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 201 A 8.9 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 600 W GCMX Bulk
SemiQ MOSFET moduļi SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
Datu lapa
Nav noliktavā
Min.: 40
Vair.: 40
Rullis: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 102 A 18 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 333 W GCMX Reel
SemiQ MOSFET moduļi 1200V, 20mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 20 Nedēļas
Min.: 40
Vair.: 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 333 W GCMX Bulk
SemiQ MOSFET moduļi SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
Datu lapa
Nav noliktavā
Min.: 40
Vair.: 40
Rullis: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 93 A 18.1 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 300 W GCMX Reel
SemiQ MOSFET moduļi SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
Datu lapa
Nav noliktavā
Min.: 40
Vair.: 40
Rullis: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 56 A 38 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 217 W GCMX Reel
SemiQ MOSFET moduļi 1200V, 40mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 20 Nedēļas
Min.: 40
Vair.: 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 217 W GCMX Bulk
SemiQ MOSFET moduļi 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 20 Nedēļas
Min.: 40
Vair.: 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 27 A 100 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 119 W GCMX Bulk