Low Loss Duopack IGBTs

Infineon Technologies Low Loss Duopack IGBTs offer a robust humidity design with Trenchstop™ and Fieldstop™ technology. They feature a very soft, fast-recovery anti-parallel diode, short tail current, and very low VCEsat.

Rezultāti: 5
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Tehnoloģija
Iepakojums / korpusa
Montāžas veids
Konfigurācija
Kolektors - starotāja spriegums, VCEO maks.
Kolektora-starotāja piesātinājuma spriegums
Maksimālais kanāla starotāja spriegums
Nepārtraukta kolektora strāva pie 25 C
Pd - jaudas izkliede
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Sērija
Iepakojums
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Datu lapa
7 655Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 76 A 230.8 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Datu lapa
1 511Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 60 A 188 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Datu lapa
166Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 40 A 136 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Datu lapa
2Ir noliktavā
720Paredzamais 21.05.2026
Min.: 1
Vair.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 333 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Datu lapa
605Pēc pasūtījuma
Min.: 1
Vair.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 273 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube