Rezultāti: 10
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Tehnoloģija
Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tranzistora polaritāte
Kanālu skaits
VDS - DS pārtraukuma spriegums
Id - nepārtraukta noplūdes strāva
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība
VGS - kanāla-avota spriegums
VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums
Qg - kanāla lādiņš
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Pd - jaudas izkliede
Kanāla režīms
Iepakojums
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Datu lapa
721Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

Si SMD/SMT TO263-7 N-Channel 1 Channel 135 V 207 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Datu lapa
1 668Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

Si SMD/SMT TO263-7 N-Channel 1 Channel 135 V 250 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Datu lapa
915Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 135 V 297 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 159 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Datu lapa
1 332Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 135 V 297 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 159 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Datu lapa
1 699Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 135 V 212 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Datu lapa
3 914Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 5 000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 135 V 172 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 82 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Datu lapa
4 813Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 135 V 142 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Datu lapa
363Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 135 V 98 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Datu lapa
117Ir noliktavā
8 000Paredzamais 12.03.2026
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Datu lapa
570Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 135 V 54 A 14.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 21 nC 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel