1200 V silīcija karbīda jaudas MOSFET

Wolfspeed  1200 V silīcija karbīda jaudas MOSFET nosaka veiktspējas, izturības un vienkāršas konstrukcijas standartu. Wolfspeed MOSFET nodrošina ātru komutāciju un zemus komutācijas zudumus, tādējādi ievērojami uzlabojot sistēmas efektivitāti, jaudas blīvumu un kopējās komplektācijas izmaksas salīdzinājumā ar līdzšinējiem silīcija MOSFET un IGBT.

Rezultāti: 24
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tranzistora polaritāte
Kanālu skaits
VDS - DS pārtraukuma spriegums
Id - nepārtraukta noplūdes strāva
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība
VGS - kanāla-avota spriegums
VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums
Qg - kanāla lādiņš
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Pd - jaudas izkliede
Kanāla režīms
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Datu lapa
233Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 248 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 169 nC - 40 C + 175 C 500 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Datu lapa
1 613Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
Datu lapa
762Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 53 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial
Datu lapa
1 014Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
Datu lapa
691Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Datu lapa
881Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 162 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
Datu lapa
694Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datu lapa
166Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 177 nC - 40 C + 175 C 405 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Datu lapa
610Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 108 nC - 40 C + 175 C 341 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datu lapa
428Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 118 nC - 40 C + 175 C 278 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Datu lapa
488Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 91 nC - 40 C + 175 C 294 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Datu lapa
687Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 150 C 172 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datu lapa
153Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 94 nC - 40 C + 175 C 242 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datu lapa
254Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 53 nC - 55 C + 150 C 145 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datu lapa
386Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.9 A 280 mOhms - 4 V, + 15 V 3.8 V 32 nC - 40 C + 175 C 103 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial
Datu lapa
1 136Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 111 nC - 40 C + 175 C 277 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial
Datu lapa
457Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 54 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial
Datu lapa
3 522Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Datu lapa
316Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 114 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
Datu lapa
693Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 40 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 99 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
Datu lapa
1 164Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 160 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 38 nC - 55 C + 150 C 97 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-263-7, Industrial
Datu lapa
155Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.2 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 13 nC - 55 C + 150 C 40.8 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datu lapa
880Paredzamais 20.03.2026
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 29 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 223 nC - 40 C + 175 C 556 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Datu lapa
894Pēc pasūtījuma
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 118 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement