QPD1035 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1035 GaN RF Power Transistors are 40W discrete GaN on SiC HEMTs operating from DC to 6GHz with a 50V supply. The Qorvo QPD1035 transistors feature an input pre-match, making it ideal for broadband amplifiers in pulsed and CW operations. The devices are lead-free and RoHS-compliant.

Rezultāti: 2
Atlasīt Attēls Detaļas Nr. Raž. Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu. Daudz. RoHS ECAD modelis Montāžas veids Minimālā darba temperatūra Maksimālā darba temperatūra Pd - jaudas izkliede
Qorvo GaN FET 30W, DC - 6GHz 45Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 50

Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W
Qorvo GaN FET 30W, DC - 6GHz, Flanged 100Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 50

Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W