MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM

RAMXEED MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip features a configuration of 524,288 words x 8-bits. The devices utilize the ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies to form nonvolatile memory cells. The MB85RS4MLY employs a Serial Peripheral Interface (SPI) and is ideal for high-temperature environment applications.

Rezultāti: 4
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Atmiņas lielums
Saskarnes tips
Maksimālā takts frekvence
Organizācija
Iepakojums / korpusa
Barošanas spriegums - min.
Barošanas spriegums - maks.
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Kvalifikācija
Iepakojums

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 (208mil) T&R (125C)
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 22 Nedēļas
Min.: 500
Vair.: 500
Rullis: 500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 SOP-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Reel

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7 1.95V - DFN8 T&R (125?)
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 20 Nedēļas
Min.: 1 500
Vair.: 1 500
Rullis: 1 500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 DFN-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Reel

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - DFN8 T&R (AECQ100 125C)
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 22 Nedēļas
Min.: 1 500
Vair.: 1 500
Rullis: 1 500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 DFN-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C AEC-Q100 Reel
RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 (208mil) tube (125C)
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 22 Nedēļas
Min.: 1
Vair.: 1

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 SOP-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Tube