AgileSwitch® Phase Leg SiC MOSFET Power Modules

Microsemi / Microchip AgileSwitch® Phase Leg SiC (Silicon Carbide) MOSFET Power Modules are built with SiC MOSFETs and SiC Diodes and combine the advantages of both devices. These power modules feature an extremely low inductance SP6LI package with a maximum stray inductance of 3nH. These SP6LI power modules are offered in 1200V and 1700V variants with a case temperature (Tc) of +80°C. Offering higher power density and a compact form factor, the SP6LI package enables a lower quantity of modules in parallel to achieve complete systems, helping designers to downsize their equipment further.

Rezultāti: 8
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Produkts
Tips
Tehnoloģija
Vf - tiešais spriegums
Vr - pretspriegums
VGS - kanāla-avota spriegums
Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Microchip Technology Diskrētie pusvadītāju moduļi PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
Datu lapa
3Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 125 C
Microchip Technology Diskrētie pusvadītāju moduļi PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
Datu lapa
9Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.8 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 175 C
Microchip Technology Diskrētie pusvadītāju moduļi PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
Datu lapa
1Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Diskrētie pusvadītāju moduļi PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
Datu lapa
1Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology Diskrētie pusvadītāju moduļi PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
Datu lapa
1Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology Diskrētie pusvadītāju moduļi PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 20 Nedēļas
Min.: 1
Vair.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology Diskrētie pusvadītāju moduļi PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 20 Nedēļas
Min.: 2
Vair.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Diskrētie pusvadītāju moduļi PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 20 Nedēļas
Min.: 2
Vair.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 125 C