RBRxx30ANZ Low VF Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBRxx30ANZ Schottky Barrier Diodes are cathode common dual type diodes that come in a TO-220FN package. These diodes are manufactured using silicon epitaxial planar type construction. The RBRxx30ANZ barrier diodes offer low VF and high reliability. Typical applications of these schottky barrier diodes from ROHM Semiconductor include switching power supplies and general rectification.

Rezultāti: 2
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Produkts
Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Konfigurācija
Tehnoloģija
If - tiešā strāva
Vrrm - atkārtots pretspriegums
Vf - tiešais spriegums
Ifsm - tiešā impulsstrāva
IR - pretstrāva
Maksimālā darba temperatūra
Iepakojums
ROHM Semiconductor Schottky diodes un taisngrieži Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 30A, ITO-220AB
Datu lapa
416Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 30 V 550 mV 100 A 300 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Schottky diodes un taisngrieži Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 20A, ITO-220AB
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 12 Nedēļas
Min.: 1
Vair.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 30 V 550 mV 100 A 200 uA + 150 C Tube