STGAP2GSN Isolated 3A Single Gate Driver

STMicroelectronics STGAP2GSN Isolated 3A Single Gate Driver isolates the gate driving channel, low voltage control, and interface circuitry. The gate driver is characterized by 2A source and 3A sink capability and rail-to-rail outputs, making the device suitable for mid and high-power applications such as power conversion and motor driver inverters in industrial applications. The device allows independently optimized turn-on and turn-off by using dedicated gate resistors.

Rezultāti: 4
Atlasīt Attēls Detaļas Nr. Raž. Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu. Daudz. RoHS ECAD modelis Montāžas veids Iepakojums / korpusa Izolācijas spriegums Minimālā darba temperatūra Maksimālā darba temperatūra Izplatīšanās aizkave - maks. Pacēluma laiks Kritumlaiks Iepakojums
STMicroelectronics Galvaniski izolēti kanālu draiveri Galvanically isolated 3 A single gate driver for Enhancement mode GaN FETs 1 484Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

SMD/SMT SO-8 - 40 C + 125 C 93 ns 30 ns 30 ns Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Galvaniski izolēti kanālu draiveri Galvanically isolated 3 A single gate driver for Enhancement mode GaN FETs 204Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

SMD/SMT SO-8W 5 kV - 40 C + 125 C 93 ns 30 ns 30 ns Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Galvaniski izolēti kanālu draiveri Galvanically isolated 3 A single gate driver for Enhancement mode GaN FETs Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 25 Nedēļas
Min.: 800
Vair.: 800

5 kV Tube
STMicroelectronics Galvaniski izolēti kanālu draiveri Galvanically isolated 3 A single gate driver for Enhancement mode GaN FETs Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 25 Nedēļas
Min.: 2 000
Vair.: 2 000

Tube