Šķiet, ka jūsu pārlūkā ir atspējots JavaScript. Dažas šīs lapas funkcijas nedarbosies, ja nebūsiet pieteicies.

Atgriezties pie meklēšanas rezultātiem

RH7P04BBKFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7P04BBKFRATCB
Price: 2.07 EUR
Availability: InStock

Attēli ir tikai atsauce
Skatiet produkta specifikāciju

Mouser Nr.:

755-RH7P04BBKFRATCB

Raž. Nr.:

RH7P04BBKFRATCB

Raž.:

ROHM Semiconductor

Apraksts:

MOSFET DFN8 N CHAN 100V

Dzīves cikls:

Jauns produkts:

Jaunums no šā ražotāja.

Datu lapa:

RH7P04BBKFRATCB Datu lapa

ECAD modelis:

Lejupielādējiet bezmaksas Bibliotēkas ielādētāju, lai pārveidotu failu savam ECAD rīkam. Uzziniet vairāk par ECAD modeļiem.

Vairāk informācijas

Uzzināt vairāk par ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRATCB

Ir noliktavā: 2 065

Noliktavas krājumi:: 2 065 Var nosūtīt uzreiz

Radās negaidīta kļūda. Lūdzu, vēlāk mēģiniet vēlreiz.
Izpildes laiks rūpnīcā:: 16 Nedēļas Paredzamais rūpnīcas ražošanas laiks daudzumiem, kas ir lielāki par parādīto.

Ievadiet daudzumu:

Minimums: 1 Vairāki: 1

Vienības cena:

-,-- €

Kop. cena:

-,-- €

Apr. tarifs:

Cenu noteikšana (EUR)

Daudz.	Vienības cena	Kop. cena
	2,07 €	2,07 €
	1,33 €	13,30 €
	0,912 €	91,20 €
	0,725 €	3 62,50 €
	0,674 €	6 74,00 €
Pilna Spole (pasūtiet komplektos pa 3000)
	0,603 €	18 09,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkta atribūts	Priekšmeta vērtība	Atlasīt atribūtu
Ražotājs:	ROHM Semiconductor
Produktu kategorija:	MOSFET
Tehnoloģija:	Si
Montāžas veids:	SMD/SMT
Iepakojums / korpusa:	DFN-8
Tranzistora polaritāte:	N-Channel
Kanālu skaits:	1 Channel
VDS - DS pārtraukuma spriegums:	100 V
Id - nepārtraukta noplūdes strāva:	40 A
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība:	13.8 Ohms
VGS - kanāla-avota spriegums:	- 20 V, 20 V
VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums:	2.5 V
Qg - kanāla lādiņš:	19.8 nC
Minimālā darba temperatūra:	- 55 C
Maksimālā darba temperatūra:	+ 175 C
Pd - jaudas izkliede:	75 W
Kanāla režīms:	Enhancement
Kvalifikācija:	AEC-Q101
Iepakojums:	Reel
Iepakojums:	Cut Tape
Zīmols:	ROHM Semiconductor
Konfigurācija:	Single
Kritumlaiks:	12 ns
Produkta tips:	MOSFETs
Pacēluma laiks:	19 ns
Rūpnīcas iepakojuma daudzums:	3000
Apakškategorija:	Transistors
Tipiskais izslēgšanas aizkaves laiks:	50 ns
Tipiskais ieslēgšanās aizkaves laiks:	14 ns
Tranzistora tips:	1 N-Channel

Atrastie produkti:

Lai parādītu līdzīgus produktus, atzīmējiet vismaz vienu izvēles rūtiņu.

Atzīmējiet vismaz vienu izvēles rūtiņu (augstāk), lai parādītos līdzīgie produkti šajā kategorijā.

Izvēlētie atribūti: 0

Filtrēt dokumentu:

Datu lapa

RH7P04BBKFRATCB Datu lapa

Lai piekļūtu šai funkcijai jābūt iespējotam JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RH7P04BBKFRA 100V N-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N-Channel Power MOSFET is a 100V drain-source voltage (V_DSS) and ±40A continuous drain current (I_D) rated automotive-grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. The drain-source on-state resistance [R_DS(ON)] is 13.8mΩ (max.) (V_GS = 10V, I_D = 20A) and comes in a 3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) package. The ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA MOSFET is ideal for Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), information, lighting, and body applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.