Rezultāti: 11
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tranzistora polaritāte
Kanālu skaits
VDS - DS pārtraukuma spriegums
Id - nepārtraukta noplūdes strāva
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība
VGS - kanāla-avota spriegums
VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums
Qg - kanāla lādiņš
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Pd - jaudas izkliede
Kanāla režīms
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datu lapa
1 054Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datu lapa
1 189Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datu lapa
3 612Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datu lapa
463Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datu lapa
1 900Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datu lapa
475Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datu lapa
1 651Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datu lapa
750Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datu lapa
256Ir noliktavā
1 000Paredzamais 05.03.2026
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datu lapa
259Ir noliktavā
5 000Pēc pasūtījuma
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datu lapa
9Ir noliktavā
2 000Paredzamais 11.06.2026
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement