GD3160 Advanced Gate Drivers

NXP Semiconductors GD3160 Advanced Gate Drivers are designed to drive SiC and IGBT modules for xEV traction inverters, OBC, and DC-DC converters. The GD3160 features integrated galvanic isolation, a programmable interface via SPI, and advanced programmable protection options, such as overtemperature, desaturation, and current sense protection.

Rezultāti: 5
Atlasīt Attēls Detaļas Nr. Raž. Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu. Daudz. RoHS ECAD modelis Produkts Tips Montāžas veids Iepakojums / korpusa Draiveru skaits Izvadu skaits Izejas strāva Konfigurācija Minimālā darba temperatūra Maksimālā darba temperatūra Sērija Iepakojums
NXP Semiconductors Kanālu draiveri EV Inverter Control; IGBT & SiC GDIC 679Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT SOIC-32 1 Driver 1 Output 15 A Non-Inverting - 40 C + 150 C GD3160 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Kanālu draiveri EV Inverter Control; IGBT & SiC GDIC 740Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT SOIC-32 1 Driver 1 Output 15 A Non-Inverting - 40 C + 150 C GD3160 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Kanālu draiveri EV Inverter Control; IGBT & SiC GDIC 1 270Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT SOIC-32 1 Driver 1 Output 15 A Non-Inverting - 40 C + 150 C GD3160 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Kanālu draiveri EV Inverter Control; IGBT & SiC GDIC Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 26 Nedēļas
Min.: 1 000
Vair.: 1 000
Rullis: 1 000

IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT SOIC-32 1 Driver 1 Output 15 A Non-Inverting - 40 C + 150 C GD3160 Reel
NXP Semiconductors Kanālu draiveri GD3160 Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 26 Nedēļas
Min.: 1
Vair.: 1

IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT SOIC-32 1 Driver 1 Output 15 A Non-Inverting - 40 C + 150 C GD3160 Tray