IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.

Rezultāti: 10
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Produkts
Konfigurācija
Kolektors - starotāja spriegums, VCEO maks.
Kolektora-starotāja piesātinājuma spriegums
Nepārtraukta kolektora strāva pie 25 C
Kanāla starotāja noplūdes strāva
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Iepakojums
Infineon Technologies IGBT moduļi 1200 V, 900 A dual IGBT module
Datu lapa
6Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT moduļi 1200 V, 450 A dual IGBT module
Datu lapa
17Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT moduļi 1200 V, 300 A dual IGBT module
Datu lapa
25Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT moduļi 2300 V, 1800 A dual IGBT module
Datu lapa
2Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT moduļi 1200 V, 600 A dual IGBT module
Datu lapa
18Ir noliktavā
20Paredzamais 26.02.2026
Min.: 1
Vair.: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT moduļi 1200 V, 900 A dual IGBT module
Datu lapa
4Ir noliktavā
18Paredzamais 12.03.2026
Min.: 1
Vair.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT moduļi 1200 V, 900 A dual IGBT module
Datu lapa
20Paredzamais 05.03.2026
Min.: 1
Vair.: 1
Nē
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT moduļi PP IHM I
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 14 Nedēļas
Min.: 1
Vair.: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT moduļi 1200 V, 750 A dual IGBT module
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 14 Nedēļas
Min.: 10
Vair.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT moduļi 1700 V, 750 A dual IGBT module
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 14 Nedēļas
Min.: 10
Vair.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray