GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FETs

Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FETs are general-purpose, normally off e-mode devices that deliver superior performance and very low on-state resistance.

Rezultāti: 3
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tranzistora polaritāte
Kanālu skaits
VDS - DS pārtraukuma spriegums
Id - nepārtraukta noplūdes strāva
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība
VGS - kanāla-avota spriegums
VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums
Qg - kanāla lādiņš
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Pd - jaudas izkliede
Kanāla režīms
Nexperia GaN FET GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7
Datu lapa
1 951Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

SMD/SMT VQFN-7 P-Channel 1 Channel 100 V 100 A 1.8 mOhms 6 V 2.5 V 22 nC - 40 C + 150 C 65 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
Datu lapa
1 334Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 500

SMD/SMT WLCSP-22 P-Channel 1 Channel 100 V 64 A 2.7 mOhms 5.5 V 2.5 V 13 nC - 40 C + 150 C 470 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANE7R0-100CBA/SOT8090/WLCSP6
Datu lapa
1 062Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 500

SMD/SMT VQFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 7 mOhms 6 V 2.5 V 4.5 nC - 40 C + 150 C 182 W Enhancement