Starptautiskie tirdzniecības noteikumi:Piegāde ar samaksātu muitu norādītajā vietā Visas cenas ietver nodevas un muitas maksas par atsevišķiem piegādes veidiem.
Lūdzu, apstipriniet savu valūtas izvēli:
Eiro Bezmaksas piegāde vairumam pasūtījumu virs 50 € (EUR)
ASV dolāri Bezmaksas piegāde vairumam pasūtījumu virs $60 (USD)
Šobrīd saiti nevar izveidot. Lūdzu, mēģiniet vēlreiz.
UMOS9-H Silicon N-channel MOSFETs
Toshiba UMOS9-H Silicon N-channel MOSFETs are ideal for high-efficiency DC-to-DC converters, switching voltage regulators, and motor drivers. These MOSFETs boast a small gate charge, a small output charge, low drain-source on-resistance, and low leakage current. The UMOS9-H N-channel MOSFETs feature 80V drain-source voltage, ±20V gate-source voltage, and 175°C channel temperature. These MOSFETs also feature ±0.1µA gate leakage current, 10µA drain cut-off current, and a -55°C to 175°C storage temperature range. The UMOS9-H N-channel MOSFETs are RoHS-compliant and come in a 0.108g 2-5W1A (SOP Advance (N)) package.