STP80N240K6 MDmesh K6 Power MOSFET

STMicroelectronics STP80N240K6 MDmesh K6 Power MOSFET is based on the ultimate MDmesh K6 technology built on 20 years of STM experience on super junction technology. The high voltage N-channel power MOSFET offers an ultra-low gate charge and excellent RDS(on) x area. The ST STP80N240K6 800V Power MOSFET features best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Rezultāti: 2
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Tehnoloģija
Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tranzistora polaritāte
Kanālu skaits
VDS - DS pārtraukuma spriegums
Id - nepārtraukta noplūdes strāva
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība
VGS - kanāla-avota spriegums
VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums
Qg - kanāla lādiņš
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Pd - jaudas izkliede
Kanāla režīms
Tirdzniecības nosaukums
Iepakojums
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
Datu lapa
2 421Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 340 mOhms - 10 V, 10 V 3 V 17.8 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
Datu lapa
56Ir noliktavā
1 000Paredzamais 09.11.2026
Min.: 1
Vair.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube