PMVxx P-Channel Trench MOSFETs

Nexperia P-Channel Trench MOSFETS are enhancement mode field-effect transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. They employ Trench MOSFET technology and offer a low threshold voltage and very fast switching. These MOSFETs are ideal for such applications as relay drivers, high-speed line drivers, low-side loadswitches, and switching circuits.

Rezultāti: 4
Atlasīt Attēls Detaļas Nr. Raž. Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu. Daudz. RoHS ECAD modelis Tehnoloģija Montāžas veids Iepakojums / korpusa Tranzistora polaritāte Kanālu skaits VDS - DS pārtraukuma spriegums Id - nepārtraukta noplūdes strāva RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība VGS - kanāla-avota spriegums VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums Qg - kanāla lādiņš Minimālā darba temperatūra Maksimālā darba temperatūra Pd - jaudas izkliede Kanāla režīms Iepakojums
Nexperia MOSFET SOT23 P-CH 20V 3.6A 30 635Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.4 A 48 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 7.7 nC - 55 C + 150 C 1.096 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PMV33UPE/SOT23/TO-236AB 1 931Ir noliktavā
12 000Pēc pasūtījuma
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.3 A 30 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 14.7 nC - 55 C + 150 C 980 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT23 P-CH 20V 2.5A 22 731Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 77 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT23 P-CH 20V 3.6A
5 904Paredzamais 08.02.2027
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.6 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 1.096 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel