{Atslēgvārds}{Ražotājs}{Tirgotājs}{Sērijas}{Serdenis}{Uzlabojumi}{Veidne}{Apakškategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

LET RF Power Transistors

STMicroelectronics LET RF Power Transistors are a common source N-Channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. These transistors are based on the new advanced STH5P LDMOS technology and are targeted for operation up to 2.0GHz. STMicroelectronics LET RF Power Transistors are specifically designed for 28V (cellular base stations) and 32/36V (avionics) applications. These devices have a significant improvement in terms of RF performance (+3dB gain, +15% efficiency), ruggedness, and reliability makes this new product line ideal in applications such as private mobile radio, government communications, avionics systems, and L-band satellite uplink equipment.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultāti: 2

Piemērotie filtri:

Id - nepārtraukta noplūdes strāva

VDS - DS pārtraukuma spriegums

RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība

Darbības frekvence

Pieaugums

Izejas jauda

Montāžas veids

Iepakojums / korpusa

Iepakojums

Atiestatīt visu

Meklēt rezultātos

Ir noliktavā

Parasti ir noliktavā

Aktīvs

Jauni produkti

RoHS prasībām atbilstošs

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Atlasīt	Attēls	Detaļas Nr.	Raž.	Apraksts	Datu lapa	Pieejamība	Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.	Daudz.	RoHS	ECAD modelis	Tranzistora polaritāte	Tehnoloģija	Id - nepārtraukta noplūdes strāva	VDS - DS pārtraukuma spriegums	RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība	Darbības frekvence	Pieaugums	Izejas jauda	Maksimālā darba temperatūra	Montāžas veids	Iepakojums / korpusa	Iepakojums
	RF MOSFET tranzistori RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz ST9045C STMicroelectronics 1: 76,35 € 50Paredzamais 01.10.2026	Raž. detaļa Nr. ST9045C Mouser detaļas Nr. 511-ST9045C	STMicroelectronics	RF MOSFET tranzistori RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz Uzzināt vairāk par STMicroelectronics stmlet9x	Datu lapa	50Paredzamais 01.10.2026	76,35 € 61,22 €	Min.: 1 Vair.: 1			N-Channel	Si	9 A	90 V		1.5 GHz			+ 200 C	SMD/SMT	M243-3	Bulk
	RF MOSFET tranzistori 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor RF3L05150CB4 STMicroelectronics 1: 173,87 € Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 52 Nedēļas	Raž. detaļa Nr. RF3L05150CB4 Mouser detaļas Nr. 511-RF3L05150CB4	STMicroelectronics	RF MOSFET tranzistori 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor Uzzināt vairāk par STMicroelectronics stm rf3l05150cb4 transistors	Datu lapa	Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 52 Nedēļas	Nogriezta lente 173,87 € 135,73 € Spole 135,73 €	Min.: 1 Vair.: 1 : 100			N-Channel	Si	2.5 A	28 V	1 Ohms	945 MHz	16 dB	150 W	+ 200 C	Through Hole	LBB-4	Reel, Cut Tape

LET RF Power Transistors

Piemērotie filtri:

Klientu apkalpošanas birojs

Uzņēmums

Resursi

Atbalsts