UF4C/SC 1200 V Gen 4 SiC FET

Qorvo UF4C/SC 1200 V Gen 4 SIC FET ir augstas veiktspējas sērija, kas nodrošina nozarē labākos kvalitātes rādītājus. UF4C/SC 1200 V Gen 4 SiC FET ir ideāli piemēroti galvenajām 800 V kopņu arhitektūrām, kas paredzētas iebūvētiem elektromobiļu lādētājiem, rūpnieciskiem akumulatoru lādētājiem, rūpnieciskiem jaudas avotiem, atjaunojamiem energoresursiem, enerģijas uzglabāšanai, metināšanas iekārtām, UPS (nepārtrauktās barošanas blokiem) un indukcijas apsildes iekārtām. Pieejamas 23 mΩ līdz 70 mΩ opcijas, Gen 4 sērija ir balstīta uz unikālu kaskoda konfigurāciju, kurā augstas veiktspējas SiC JFET ir apvienots ar kaskoda optimizētu Si-MOSFET, lai izveidotu standarta SiC vārtejas piedziņas ierīci. Šī funkcija ļauj elastīgi projektēt, nemainot vārtejas piedziņas spriegumu, viegli nomainot Si IGBT, Si FET, SiC FET vai Si supersavienojuma ierīces.

Rezultāti: 11
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tranzistora polaritāte
Kanālu skaits
VDS - DS pārtraukuma spriegums
Id - nepārtraukta noplūdes strāva
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība
VGS - kanāla-avota spriegums
VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums
Qg - kanāla lādiņš
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Pd - jaudas izkliede
Kanāla režīms
Tirdzniecības nosaukums
onsemi SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO24
Datu lapa
678Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/23MOSICFETG4TO247-4
Datu lapa
768Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO24
Datu lapa
674Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO24
Datu lapa
405Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO263-7
Datu lapa
747Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO263-7
Datu lapa
513Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO263-7
Datu lapa
692Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO24
Datu lapa
81Ir noliktavā
600Paredzamais 20.07.2026
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO247-4
Datu lapa
2Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET UF4C120053B7S
Datu lapa
200Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET UF4C120070B7S
Datu lapa
200Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET