BSM300D12P2E001

ROHM Semiconductor
755-BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001

Raž.:

Apraksts:
MOSFET moduļi 300A SiC Power Module

Datu lapa:
ECAD modelis:
Lejupielādējiet bezmaksas Bibliotēkas ielādētāju, lai pārveidotu failu savam ECAD rīkam. Uzziniet vairāk par ECAD modeļiem.
Vairāk informācijas
Uzzināt vairāk par ROHM Semiconductor BSM300D12P2E001

Ir noliktavā: 4

Noliktavas krājumi:
4 Var nosūtīt uzreiz
Izpildes laiks rūpnīcā:
27 Nedēļas Paredzamais rūpnīcas ražošanas laiks daudzumiem, kas ir lielāki par parādīto.
Minimālā pasūtījuma prasības attiecas uz apjomiem, kas pārsniedz 4.
Minimums: 1   Vairāki: 1
Vienības cena:
-,-- €
Kop. cena:
-,-- €
Apr. tarifs:
Šis produkts tiek piegādāts BEZ MAKSAS

Cenu noteikšana (EUR)

Daudz. Vienības cena
Kop. cena
698,28 € 698,28 €

Produkta atribūts Priekšmeta vērtība Atlasīt atribūtu
ROHM Semiconductor
Produktu kategorija: MOSFET moduļi
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
300 A
- 6 V, + 22 V
2.7 V
- 40 C
+ 150 C
1.875 kW
BSMx
Bulk
Zīmols: ROHM Semiconductor
Konfigurācija: Dual
Montāžas valsts: Not Available
Izgatavošanas valsts: Not Available
Izcelsmes valsts: JP
Kritumlaiks: 65 ns
Augstums: 15.4 mm
Garums: 152 mm
Produkta tips: MOSFET Modules
Pacēluma laiks: 70 ns
Rūpnīcas iepakojuma daudzums: 4
Apakškategorija: Discrete and Power Modules
Tips: SiC Power Module
Tipiskais izslēgšanas aizkaves laiks: 250 ns
Tipiskais ieslēgšanās aizkaves laiks: 80 ns
Vr - pretspriegums: 1.2 kV
Platums: 62 mm
Preces svars: 444,780 g
Atrastie produkti:
Lai parādītu līdzīgus produktus, atzīmējiet vismaz vienu izvēles rūtiņu.
Atzīmējiet vismaz vienu izvēles rūtiņu (augstāk), lai parādītos līdzīgie produkti šajā kategorijā.
Izvēlētie atribūti: 0

TARIC:
8541590000
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541590000
USHTS:
8541590080
JPHTS:
854159000
MXHTS:
8541500100
BRHTS:
85415020
ECCN:
EAR99

BSM300D12P2E001 SiC Power Module

ROHM Semiconductor BSM300D12P2E001 SiC Power Module is a half-bridge module consisting of a Silicon Carbide DMOSFET and a Silicon Carbide Schottky Barrier Diode. ROHM Semiconductor BSM300D12P2E001 SiC Power Module is designed for motor drives, inverter/converters, photovoltaics, energy harvesting, and induction heating equipment. It has low surge, low switching loss and high-speed switching are possible.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.

Ir radusies neparedzēta kļūda.


Vai jums ir jautājums? Lūdzu, apmeklējiet palīdzības centru.
Ja jums ir jautājumi par konkrētu pasūtījumu, lūdzu, piesakieties savā kontā.

Ja rodas papildu problēmas, lūdzu, sazinieties ar mums pa telefonu 800-346-6873 vai e-pastu help@mouser.com.