Half Bridge IGBTs

Vishay Semiconductors Half Bridge IGBTs feature Trench IGBT technology and current ratings of 100A, 150A, and 200A. These IGBTs have low conduction losses, low junction-to-case thermal reduction, and a direct mounting to heatsink design. Half Bridge IGBTs offer Gen 4 FRED Pt® anti-parallel diodes with ultra-soft reverse recovery characteristics. Vishay Semiconductors Half Bridge IGBTs are optimized for high-current inverter stages, such as AC TIG welding machines.

Rezultāti: 5
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Produkts
Konfigurācija
Kolektora-starotāja piesātinājuma spriegums
Nepārtraukta kolektora strāva pie 25 C
Kanāla starotāja noplūdes strāva
Pd - jaudas izkliede
Iepakojums / korpusa
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Iepakojums
Vishay Semiconductors IGBT moduļi Modules IGBT - IAP IGBT
Datu lapa
27Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 476 A 480 nA 1 kW Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT moduļi Modules IGBT - IAP IGBT
Datu lapa
30Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 372 A 360 nA 789 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT moduļi Modules IGBT - IAP IGBT
Datu lapa
15Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 96 A 120 nA 259 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT moduļi Modules IGBT - IAP IGBT
Datu lapa
17Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 247 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT moduļi Modules IGBT - IAP IGBT
Datu lapa
60Paredzamais 25.03.2026
Min.: 1
Vair.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 193 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk