Rezultāti: 9
Atlasīt Attēls Detaļas Nr. Raž. Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu. Daudz. RoHS ECAD modelis Tehnoloģija Montāžas veids Iepakojums / korpusa Tranzistora polaritāte Kanālu skaits VDS - DS pārtraukuma spriegums Id - nepārtraukta noplūdes strāva RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība VGS - kanāla-avota spriegums VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums Qg - kanāla lādiņš Minimālā darba temperatūra Maksimālā darba temperatūra Pd - jaudas izkliede Kanāla režīms Tirdzniecības nosaukums Iepakojums

onsemi MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level 30 379Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 15.6 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 18 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 100V P-Channel QFET 4 677Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 100 V 33.5 A 60 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 3.75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series 22 894Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 15 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET 200V P-Channel QFET 4 531Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 200 V 5.7 A 690 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 25 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET 100V P-Channel QFET 17 675Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 6.6 A 530 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET -150V P-Channel QFET 12 162Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

Si SMD/SMT Power-33-8 P-Channel 1 Channel 150 V 3 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 9 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement QFET Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET N-CH/600V/2A/A.QFET 808Ir noliktavā
2 500Paredzamais 27.03.2026
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 1.9 A 3.6 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 12 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET 1 708Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 19 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 53 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement QFET Tube
onsemi MOSFET N-CH/900V/7A/A.QFET 54Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 900 V 7.2 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 80 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement QFET Tube