CoolMOS™ C7 Gold (G7) Power MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ C7 Gold (G7) Power MOSFETs are housed in the SMD TO-Leadless (TOLL) package using the Kelvin source concept. The G7 MOSFETs combine improved 600V and 650V CoolMOS™ G7 technology, 4-pin Kelvin source capability, and the improved thermal properties of the TO-Leadless package. This enables an SMD solution for high current hard switching topologies like power factor correction (PFC) up to 3kW. For the 600V CoolMOS™ G7, the MOSFETs can be used for resonant circuits like high-end LLC.

Rezultāti: 12
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Tehnoloģija
Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tranzistora polaritāte
Kanālu skaits
VDS - DS pārtraukuma spriegums
Id - nepārtraukta noplūdes strāva
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība
VGS - kanāla-avota spriegums
VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums
Qg - kanāla lādiņš
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Pd - jaudas izkliede
Kanāla režīms
Tirdzniecības nosaukums
Iepakojums
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Datu lapa
1 354Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Datu lapa
2 005Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
Datu lapa
1 783Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 141 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Datu lapa
1 482Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Datu lapa
2 754Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
Datu lapa
2 122Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 75 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 123 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Datu lapa
3 979Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Datu lapa
21Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Datu lapa
9Ir noliktavā
2 000Paredzamais 07.01.2027
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 12 Nedēļas
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 108 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 17 Nedēļas
Min.: 2 000
Vair.: 2 000
Rullis: 2 000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Datu lapa
Izpildes laiks 18 Nedēļas
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape