5 G RF JFET un LDMOS FET

MACOM 5 G RF savienojuma lauktranzistori (JFET) un laterāli izkliedēti metāla oksīda pusvadītāji (LDMOS) FET ir termiski uzlaboti lieljaudas tranzistori jaunākās paaudzes bezvadu pārraides risinājumiem. Šīm ierīcēm ir augstas elektronu kustīguma tranzistora (HEMT) GaN uz SiC bāzes tehnoloģija, ieejas saskaņošana, augsta efektivitāte un termiski uzlabots uz virsmas montējams korpuss ar atloku bez austiņām. MACOM 5 G RF JFET un LDMOS FET ir ideāli piemēroti izmantošanai mobilo sakaru jaudas pastiprinātājos ar vairākiem standartiem. 

Pusvadītāju veidi
Mainīt kategorijas skatu
Rezultāti: 8
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS
MACOM GaN FET 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
Datu lapa
53Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 50

MACOM GaN FET 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
Datu lapa
30Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 50

MACOM GaN FET 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
Datu lapa
50Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 50

MACOM RF MOSFET tranzistori 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
Datu lapa
90Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 250

MACOM GaN FET 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
Datu lapa
40Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 50

MACOM GaN FET 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
Datu lapa
17Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 50

MACOM GaN FET 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
Datu lapa
40Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 50

MACOM RF MOSFET tranzistori 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
Datu lapa
Nav noliktavā
Min.: 50
Vair.: 50
Rullis: 50