NTTFS012N10MDTAG

onsemi
863-NTTFS012N10MDTAG
NTTFS012N10MDTAG

Raž.:

Apraksts:
MOSFET PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

ECAD modelis:
Lejupielādējiet bezmaksas Bibliotēkas ielādētāju, lai pārveidotu failu savam ECAD rīkam. Uzziniet vairāk par ECAD modeļiem.

Ir noliktavā: 9 702

Noliktavas krājumi:
9 702 Var nosūtīt uzreiz
Izpildes laiks rūpnīcā:
21 Nedēļas Paredzamais rūpnīcas ražošanas laiks daudzumiem, kas ir lielāki par parādīto.
Minimums: 1   Vairāki: 1
Vienības cena:
-,-- €
Kop. cena:
-,-- €
Apr. tarifs:

Cenu noteikšana (EUR)

Daudz. Vienības cena
Kop. cena
1,86 € 1,86 €
1,23 € 12,30 €
0,832 € 83,20 €
0,663 € 3 31,50 €
0,63 € 6 30,00 €
Pilna Spole (pasūtiet komplektos pa 1500)
0,571 € 8 56,50 €
0,542 € 16 26,00 €

Produkta atribūts Priekšmeta vērtība Atlasīt atribūtu
onsemi
Produktu kategorija: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
WDFN-8
PowerTrench
Reel
Cut Tape
Zīmols: onsemi
Produkta tips: MOSFETs
Sērija: NTTFS012N10MD
Rūpnīcas iepakojuma daudzums: 1500
Apakškategorija: Transistors
Atrastie produkti:
Lai parādītu līdzīgus produktus, atzīmējiet vismaz vienu izvēles rūtiņu.
Atzīmējiet vismaz vienu izvēles rūtiņu (augstāk), lai parādītos līdzīgie produkti šajā kategorijā.
Izvēlētie atribūti: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

PowerTrench tehnoloģija

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

NTTFS012N10MD N-Channel MOSFET

onsemi NTTFS012N10MD N-Channel MOSFET is designed using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize the on-state resistance RDS(on) to minimize conduction losses and yet maintain superior switching performance. The NTTFS012N10MD MOSFET features low QG and capacitance to minimize driver losses, low QRR, soft recovery body diode, and low QOSS to improve light-load efficiency. Typical applications include primary switches in isolated DC-DC converters, AC-DC adapters, synchronous rectification in DC-DC and AC-DC, BLDC motors, load switches, and solar inverters.