650 V silīcija karbīda jaudas MOSFET

Wolfspeed 650 V silīcija karbīda jaudas MOSFET nodrošina zemu ieslēgtā stāvokļa pretestību un komutācijas zudumus, lai panāktu maksimālu efektivitāti un jaudas blīvumu. 650 V MOSFET ir optimāli piemēroti augstas veiktspējas energoelektronikas lietojumiem, tajā skaitā serveru barošanas avotiem, elektromobiļu uzlādes sistēmām, enerģijas uzglabāšanas sistēmām, saules (PV) invertoriem, nepārtrauktas barošanas avotiem un akumulatoru vadības sistēmām. Salīdzinot ar silīciju, Wolfspeed 650 V silīcija karbīda MOSFET nodrošina par 75 % mazākus pārslēgšanās zudumus, uz ½ mazākus vadītspējas zudumus un 3 reizes lielāku jaudas blīvumu.

Rezultāti: 20
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tranzistora polaritāte
Kanālu skaits
VDS - DS pārtraukuma spriegums
Id - nepārtraukta noplūdes strāva
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība
VGS - kanāla-avota spriegums
VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums
Qg - kanāla lādiņš
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Pd - jaudas izkliede
Kanāla režīms
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
Datu lapa
448Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
Datu lapa
2 498Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial
Datu lapa
1 014Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
Datu lapa
1 259Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 108 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
Datu lapa
1 168Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
Datu lapa
989Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
Datu lapa
694Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
Datu lapa
611Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 45mohm, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
Datu lapa
267Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 65 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
Datu lapa
345Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 750 V 35 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
Datu lapa
847Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 2.3 V 111 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET 25 mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
Datu lapa
1 479Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 34 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 109 nC - 40 C + 150 C 271 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
Datu lapa
373Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
Datu lapa
1 906Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial
Datu lapa
1 193Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 79 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 131 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
Datu lapa
394Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 188 nC - 40 C + 175 C 416 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
Datu lapa
206Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 188 nC - 40 C + 175 C 416 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
Datu lapa
566Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 112 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial
Datu lapa
1Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial
Datu lapa
Nav noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement