Diskrēto pusvadītāju veidi

Mainīt kategorijas skatu
Rezultāti: 25
Atlasīt Attēls Detaļas Nr. Raž. Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu. Daudz. RoHS Produkta tips Tehnoloģija Montāžas veids Iepakojums / korpusa
Toshiba Mazo signālu komutācijas diodes High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V 670 375Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT SOT-323-3
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091 4 317Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Toshiba MOSFET 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1 682Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS 80 596Ir noliktavā
51 000Paredzamais 06.03.2026
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V 67 009Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba MOSFET Small-Signal MOSFET 47 627Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba MOSFET Small Signal Mosfet 20 933Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba MOSFET U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET 36 271Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba MOSFET U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET 52 443Ir noliktavā
6 000Paredzamais 20.02.2026
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V 7 347Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V 3 829Ir noliktavā
3 000Paredzamais 06.03.2026
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V 73Ir noliktavā
9 000Pēc pasūtījuma
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba Mazo signālu komutācijas diodes Switching diode SNG Low leak current 17 729Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 8 000

Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT SOD-523-2
Toshiba Mazo signālu komutācijas diodes IFM=300mA Automotive; AEC-Q 14 488Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT SOD-323
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A 8 377Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A 5 790Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba MOSFET N-Channel Mosfet 9 271Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-3
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V 17 760Ir noliktavā
18 000Paredzamais 22.06.2026
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V 1 106Ir noliktavā
3 000Paredzamais 19.06.2026
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP-6
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222 291Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Toshiba MOSFET UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK 100Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Toshiba Bipolārais transistors (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
2 000Paredzamais 09.07.2026
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-252-3
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 12 Nedēļas
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014 Nav noliktavā
Min.: 2 000
Vair.: 2 000
Rullis: 2 000

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Toshiba 1SS403TPH3F
Toshiba Mazo signālu komutācijas diodes Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q Nav noliktavā
Min.: 6 000
Vair.: 6 000
Rullis: 3 000

Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT USC-2