MAGX-100027 50V GaN on Si HEMT Amplifiers

MACOM MAGX-100027 50V GaN on Si (Gallium Nitride on Silicon) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor) Amplifiers are high-power devices optimized for DC to 2.7GHz frequency operation. The MAGX-100027 Amplifiers support both CW (Continuous Wave) and pulsed operation with peak output power levels from 15W to 300W. Each MACOM MAGX-100027 50V GaN device integrates a pair of isolated, symmetric amplifiers and is internally pre-matched.

Rezultāti: 3
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Darbības frekvence
Darba barošanas spriegums
Darba barošanas strāva
Pieaugums
Tips
Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tehnoloģija
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Sērija
Iepakojums
MACOM RF pastiprinātājs Transistor,GaN,100W,CW
Datu lapa
82Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 200 mA 18.5 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-272S-2 GaN - 40 C + 85 C MAGX-100027 Bulk
MACOM RF pastiprinātājs Amplifier,GaN,50W,CW
Datu lapa
84Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 100 mA 16.8 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-272S-2 GaN - 40 C + 120 C MAGX-100027 Bulk
MACOM RF pastiprinātājs Amplifier, GaN DC to 2700MHz, 250pc T&R
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 28 Nedēļas
Min.: 250
Vair.: 250
Rullis: 250

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 16.3 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-252S-4 GaN - 40 C + 85 C MAGX-100027 Reel