SCT40xKWA N-channel SiC power MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT40xKWA N-channel SiC power MOSFETs are fourth-generation MOSFETs that provide low on-resistance and improved short-circuit withstand time. These MOSFETs feature 1200V VDS, fast switching speed, 4.7mm minimum creepage distance, and fast recovery time. The SCT40xKWA MOSFETs are RoHS compliant and simple to drive. Typical applications include induction heating, DC-DC converters, solar inverters, and Switch Mode Power Supplies (SMPS).

Rezultāti: 2
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tranzistora polaritāte
Kanālu skaits
VDS - DS pārtraukuma spriegums
Id - nepārtraukta noplūdes strāva
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība
VGS - kanāla-avota spriegums
VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums
Qg - kanāla lādiņš
Maksimālā darba temperatūra
Kanāla režīms
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
Datu lapa
796Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 1.2 kV 75 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
Datu lapa
800Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000
SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C Enhancement