SICW0x 1200 V SiC N kanāla MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) SICW0x 1200 V SIC N kanāla MOSFET pastiprina veiktspēju ar universāli izmantojamu TO-247-4, TO-247-4L vai TO-247AB korpusu. Šiem MOSFET raksturīgs augsts komutācijas ātrums ar zemu aizvara lādiņu, daudzpusīgs dizains un uzticamība. SICW0x 1200 V SIC MOSFET ietver no 21 mΩ līdz 120 mΩ tipisku plašu ieslēgšanas pretestības diapazonu un uzticamu veiktspēju. Šie SIC MOSFET nodrošina izcilas termiskās īpašības un ātru iekšējās diodes darbību, lai nodrošinātu vienmērīgu un efektīvu darbību sarežģītos apstākļos. SICW0x SIC MOSFET  ir pieejami 3 un 4 kontaktu (Kelvina avota) konfigurācijās. Tos parasti izmanto motorpiedziņā, metināšanas iekārtās, barošanas avotos, atjaunojamo energoresursu sistēmās, uzlādes infrastruktūrā, mākoņsistēmās un nepārtrauktās barošanas avotos (UPS).

Rezultāti: 10
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tranzistora polaritāte
Kanālu skaits
VDS - DS pārtraukuma spriegums
Id - nepārtraukta noplūdes strāva
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība
VGS - kanāla-avota spriegums
VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums
Qg - kanāla lādiņš
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Pd - jaudas izkliede
Kanāla režīms
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
Datu lapa
357Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 305 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
Datu lapa
359Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 305 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
Datu lapa
340Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 75 mOhms - 10 V, + 25 V 2.7 V 229 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
Datu lapa
360Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 75 mOhms - 10 V, + 25 V 2.7 V 229 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 28 Nedēļas
Min.: 1 800
Vair.: 1 800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 33.6 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 200 nC - 55 C + 175 C 469 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4L
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 28 Nedēļas
Min.: 1 800
Vair.: 1 800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 33.6 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 200 nC - 55 C + 175 C 469 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 52 Nedēļas
Min.: 1 800
Vair.: 1 800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 134 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 131 nC - 55 C + 175 C 224 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 52 Nedēļas
Min.: 1 800
Vair.: 1 800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 134 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 131 nC - 55 C + 175 C 224 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 52 Nedēļas
Min.: 1 800
Vair.: 1 800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 200 mOhms - 10 V, + 25 V 2.95 V 67 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 52 Nedēļas
Min.: 1 800
Vair.: 1 800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 200 mOhms - 10 V, + 25 V 2.95 V 67 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement