STripFET III™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET III™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits a high current and low RDS(on). These STripFET Power MOSFETs have improved specific on-resistance for lower conduction losses. The planar technology used in these devices is ideal for high-efficiency, low-voltage systems.

Rezultāti: 6
Atlasīt Attēls Detaļas Nr. Raž. Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu. Daudz. RoHS ECAD modelis Tehnoloģija Montāžas veids Iepakojums / korpusa Tranzistora polaritāte Kanālu skaits VDS - DS pārtraukuma spriegums Id - nepārtraukta noplūdes strāva RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība VGS - kanāla-avota spriegums VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums Qg - kanāla lādiņš Minimālā darba temperatūra Maksimālā darba temperatūra Pd - jaudas izkliede Kanāla režīms Kvalifikācija Tirdzniecības nosaukums Iepakojums
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in 701Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

Si SMD/SMT H2PAK-6 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 150 C 365 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET 1 072Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 114.6 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Dual N-Ch 60V 35mOhm 6.5A STripFET III 4 789Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100 V 25 mOhm 7.8 A STripFET III
2 838Paredzamais 17.02.2026
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 100 V 7.8 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 20.5 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 packa 678Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 120 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFET Dual N-Ch 100V 7.8A 25mOhm STripFET III
5 891Paredzamais 18.05.2026
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 20.5 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel