1200V Dual IGBT Modules

Infineon 1200V, Dual IGBT Modules, are EconoDUAL™ 3 1200V, 900A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 Modules with emitter-controlled 7 diodes, NTC, and PressFIT contact technology. The IGBT Modules offer a higher inverter output current for the same frame size and avoidance of paralleling. The Infineon 1200V, Dual IGBT Modules, provide an easy and reliable assembly with high inter-connection reliability.

Rezultāti: 11
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Produkts
Konfigurācija
Kolektors - starotāja spriegums, VCEO maks.
Kolektora-starotāja piesātinājuma spriegums
Nepārtraukta kolektora strāva pie 25 C
Kanāla starotāja noplūdes strāva
Pd - jaudas izkliede
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Iepakojums
Infineon Technologies IGBT moduļi 1200 V, 900 A dual IGBT module
Datu lapa
6Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT moduļi 1200 V, 450 A dual IGBT module
Datu lapa
17Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF450R07ME4B11BPSA1
Infineon Technologies IGBT moduļi 650 V, 450 A dual IGBT module
Datu lapa
9Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 650 V 1.55 V 560 A 100 nA 1.45 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT moduļi MEDIUM POWER 62MM
Datu lapa
20Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT moduļi MEDIUM POWER 62MM
Datu lapa
12Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT moduļi 1200 V, 600 A dual IGBT module
Datu lapa
19Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 995 A 400 nA 4.05 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT moduļi 1200 V, 600 A dual IGBT Module
Datu lapa
12Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT moduļi 1200 V, 600 A dual IGBT module
Datu lapa
18Ir noliktavā
20Paredzamais 26.02.2026
Min.: 1
Vair.: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT moduļi 1200 V, 900 A dual IGBT module
Datu lapa
4Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT moduļi 1200 V, 750 A dual IGBT module
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 14 Nedēļas
Min.: 10
Vair.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP100R12N3T7BPSA1
Infineon Technologies IGBT moduļi 1200 V, 100 A PIM IGBT module
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 12 Nedēļas
Min.: 1
Vair.: 1

Tray