N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOMoss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.

Rezultāti: 9
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Tehnoloģija
Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tranzistora polaritāte
Kanālu skaits
VDS - DS pārtraukuma spriegums
Id - nepārtraukta noplūdes strāva
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība
VGS - kanāla-avota spriegums
VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums
Qg - kanāla lādiņš
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Pd - jaudas izkliede
Kanāla režīms
Tirdzniecības nosaukums
Iepakojums
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Datu lapa
4 792Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 6 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 348 A 640 uOhms 16 V 2 V 22 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Datu lapa
3 980Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 422 A 500 uOhms 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Datu lapa
3 974Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 406 A 540 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Datu lapa
4 756Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 6 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 298 A 500 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Datu lapa
3 992Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 338 A 680 uOhms 16 V 2 V 22 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Datu lapa
4 784Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 6 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 282 A 800 uOhms 16 V 2 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Datu lapa
3 995Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 275 A 840 uOhms 16 V 2 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8
Datu lapa
5 410Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 209 A 1.9 mOhms 20 V 3.2 V 60 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Datu lapa
5 331Ir noliktavā
6 000Pēc pasūtījuma
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 6 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 430 A 480 uOhms 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape