DSCxA065LP Silicon Carbide Schottky Diodes

Diodes Incorporated DSCxA065LP Silicon Carbide Schottky Diodes feature superior reverse leakage stability at high temperatures in a DFN8080 package. The robust, industry-standard DFN8080 package is made of plastic, a "green" molding compound.

Rezultāti: 5
Atlasīt Attēls Detaļas Nr. Raž. Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu. Daudz. RoHS ECAD modelis Montāžas veids Iepakojums / korpusa Konfigurācija If - tiešā strāva Vrrm - atkārtots pretspriegums Vf - tiešais spriegums Ifsm - tiešā impulsstrāva IR - pretstrāva Minimālā darba temperatūra Maksimālā darba temperatūra Sērija Iepakojums
Diodes Incorporated SiC Schottky Diodes SiC SBD 650V-1000V T-DFN8080-4 T&R 2.5K 2 497Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

SMD/SMT DFN8080-5 Single 4 A 650 V 1.33 V 29 A 110 nA - 55 C + 175 C DSCxxA065LP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated SiC Schottky Diodes SiC SBD 650V-1000V T-DFN8080-4 T&R 2.5K 2 490Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

SMD/SMT DFN8080-5 Single 4 A 650 V 1.42 V 28 A 60 nA - 55 C + 175 C DSCxxA065LP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated SiC Schottky Diodes SiC SBD 650V-1000V T-DFN8080-4 T&R 2.5K 2 497Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

SMD/SMT DFN8080-5 Single 6 A 650 V 1.35 V 38 A 270 nA - 55 C + 175 C DSCxxA065LP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated SiC Schottky Diodes SiC SBD 650V-1000V T-DFN8080-4 T&R 2.5K 2 497Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

SMD/SMT DFN8080-5 Single 8 A 650 V 1.33 V 47 A 100 nA - 55 C + 175 C DSCxxA065LP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated SiC Schottky Diodes SiC SBD 650V-1000V T-DFN8080-4 T&R 2.5K 1 302Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

SMD/SMT DFN8080-5 Single 10 A 650 V 1.35 V 55 A 190 nA - 55 C + 175 C DSCxxA065LP Reel, Cut Tape