{Atslēgvārds}{Ražotājs}{Tirgotājs}{Sērijas}{Serdenis}{Uzlabojumi}{Veidne}{Apakškategorija}

Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors

Bourns Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine technology from a MOSFET gate and a bipolar transistor and are designed for high voltage/high current applications. The Model BID IGBTs use advanced Trench-Gate Field-Stop technology to provide greater control of the dynamic characteristics, resulting in a lower Collector-Emitter Saturation Voltage and fewer switching losses. The IGBTs feature a -55°C to +150°C operating temperature range and are available in TO-252, TO-247, and TO-247N packages. These thermally efficient components provide a lower thermal resistance making them suitable IGBT solutions for Switch-Mode Power Supplies (SMPS), Uninterruptible Power Sources (UPS), and Power Factor Correction (PFC) applications.

Attēls	Detaļas Nr.	Raž.	Apraksts	Datu lapa	Pieejamība	Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.	Daudz.	Tehnoloģija	Iepakojums / korpusa	Montāžas veids	Konfigurācija	Kolektors - starotāja spriegums, VCEO maks.	Kolektora-starotāja piesātinājuma spriegums	Maksimālais kanāla starotāja spriegums	Nepārtraukta kolektora strāva pie 25 C	Pd - jaudas izkliede	Minimālā darba temperatūra	Maksimālā darba temperatūra	Sērija	Iepakojums
IGBT IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252 BIDD05N60T Bourns 1: 1,92 € 24 136Ir noliktavā	Raž. detaļa Nr. BIDD05N60T Mouser detaļas Nr. 652-BIDD05N60T	Bourns	IGBT IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252 Uzzināt vairāk par Bourns model bid igbt	Datu lapa	24 136Ir noliktavā	Nogriezta lente 1,92 € 1,23 € 0,83 € 0,661 € 0,606 € Spole 0,558 € MouseReel ir pieejams	Min.: 1 Vair.: 1 : 2 500	Si	TO-252-3	SMD/SMT	Single	600 V	1.5 V	- 30 V, 30 V	10 A	82 W	- 55 C	+ 150 C	BID	Reel, Cut Tape, MouseReel
IGBT IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L BIDW75N65EH5 Bourns 1: 7,01 € 5 797Ir noliktavā	Raž. detaļa Nr. BIDW75N65EH5 Mouser detaļas Nr. 652-BIDW75N65EH5	Bourns	IGBT IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L Uzzināt vairāk par Bourns model bid	Datu lapa	5 797Ir noliktavā	7,01 € 4,06 € 3,41 € 3,24 €	Min.: 1 Vair.: 1	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.65 V	20 V	150 A	394 W	- 40 C	+ 175 C	BID	Tube
IGBT IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L BIDW40N65ES5 Bourns 1: 5,31 € 2 780Ir noliktavā	Raž. detaļa Nr. BIDW40N65ES5 Mouser detaļas Nr. 652-BIDW40N65ES5	Bourns	IGBT IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L Uzzināt vairāk par Bourns model bid	Datu lapa	2 780Ir noliktavā	5,31 € 3,01 € 2,50 € 2,39 € 2,24 €	Min.: 1 Vair.: 1	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.35 V	20 V	80 A	230 W	- 40 C	+ 175 C	BID	Tube
IGBT IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L BIDW40N65H5 Bourns 1: 5,09 € 2 967Ir noliktavā	Raž. detaļa Nr. BIDW40N65H5 Mouser detaļas Nr. 652-BIDW40N65H5	Bourns	IGBT IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L Uzzināt vairāk par Bourns model bid	Datu lapa	2 967Ir noliktavā	5,09 € 3,01 € 2,50 € 2,38 € 2,24 €	Min.: 1 Vair.: 1	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.65 V	20 V	80 A	300 W	- 40 C	+ 175 C	BID	Tube
IGBT IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L BIDW75N65ES5 Bourns 1: 6,48 € 2 773Ir noliktavā	Raž. detaļa Nr. BIDW75N65ES5 Mouser detaļas Nr. 652-BIDW75N65ES5	Bourns	IGBT IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L Uzzināt vairāk par Bourns model bid	Datu lapa	2 773Ir noliktavā	6,48 € 4,06 € 3,41 € 3,24 €	Min.: 1 Vair.: 1	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.42 V	20 V	150 A	394 W	- 40 C	+ 175 C	BID	Tube
IGBT IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247 BIDW30N60T Bourns 1: 4,73 € 3 010Ir noliktavā	Raž. detaļa Nr. BIDW30N60T Mouser detaļas Nr. 652-BIDW30N60T	Bourns	IGBT IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247 Uzzināt vairāk par Bourns model bid igbt	Datu lapa	3 010Ir noliktavā	4,73 € 2,83 € 2,29 € 1,99 € Skatīt 1,93 € 1,92 €	Min.: 1 Vair.: 1	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	600 V	1.65 V	- 20 V, 20 V	60 A	230 W	- 55 C	+ 150 C	BID	Tube
IGBT IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247 BIDW50N65T Bourns 1: 5,81 € 2 979Ir noliktavā 1 230Paredzamais 08.01.2027	Raž. detaļa Nr. BIDW50N65T Mouser detaļas Nr. 652-BIDW50N65T	Bourns	IGBT IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247 Uzzināt vairāk par Bourns model bid igbt	Datu lapa	2 979Ir noliktavā 1 230Paredzamais 08.01.2027	5,81 € 3,47 € 2,90 € 2,49 €	Min.: 1 Vair.: 1	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.65 V	- 20 V, 20 V	100 A	416 W	- 55 C	+ 150 C	BID	Tube
IGBT IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N BIDNW30N60H3 Bourns 1: 4,41 € 2 999Paredzamais 11.02.2027	Raž. detaļa Nr. BIDNW30N60H3 Mouser detaļas Nr. 652-BIDNW30N60H3	Bourns	IGBT IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N Uzzināt vairāk par Bourns model bid igbt	Datu lapa	2 999Paredzamais 11.02.2027	4,41 € 2,46 € 2,03 € 1,93 € 1,79 €	Min.: 1 Vair.: 1	Si	TO-247N-3	Through Hole	Single	600 V	1.65 V	- 20 V, 20 V	60 A	230 W	- 55 C	+ 150 C	BID	Tube

Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors

Piemērotie filtri:

Klientu apkalpošanas birojs

Uzņēmums

Resursi

Atbalsts

Dalīties ar šo

Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors

Piemērotie filtri: