Augstsprieguma DTMOS VI MOSFET TOLL iepakojumā

Toshiba High Voltage DTMOSVI MOSFET TOLL iepakojumā ir zems aizplūdes avots uz pretestību (Rdson) un ātrgaitas pārslēgšanas īpašības ar zemāku kapacitāti. Tas padara tos ideāli piemērotus barošanas avotu pielietojumu pārslēgšanai. Šis jaunākās paaudzes DTMOSVI piedāvā viszemākā mērījuma RDS(ON)xQgd, un tas ir ievietots jaunajā TOLL iepakojumā (9,9 × 11,68 × 2,3 mm) ar Kelvina avota savienojumu, lai samazinātu zudumus ieslēdzot un izslēdzot.

Rezultāti: 6
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Tehnoloģija
Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tranzistora polaritāte
Kanālu skaits
VDS - DS pārtraukuma spriegums
Id - nepārtraukta noplūdes strāva
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība
VGS - kanāla-avota spriegums
VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums
Qg - kanāla lādiņš
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Pd - jaudas izkliede
Kanāla režīms
Iepakojums
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
Datu lapa
1 058Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ
Datu lapa
3 792Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 86 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ
Datu lapa
2 000Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 149 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ
Datu lapa
1 232Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 600V DTMOS VI TOLL 55mohm
Datu lapa
6 000Pēc pasūtījuma
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 65 nC 270 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 20 Nedēļas
Min.: 2 000
Vair.: 2 000
Rullis: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 122 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel