MJK31CT General Purpose & Low VCE(sat) Transistors

onsemi MJK31CT General Purpose and Low VCE(sat) Transistors are ideal for power and switching applications in various industries. The onsemi MJK31CT devices are versatile enough for regulators, converters, and power amplifiers. The transistors' compact and advanced LFPAK package (5mm x 6mm) offers excellent thermal conduction for demanding automotive applications. These applications include airbag deployment, power train control units, and instrument clusters.

Rezultāti: 4
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Tehnoloģija
Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tranzistora polaritāte
Konfigurācija
Kolektors - starotāja spriegums, VCEO maks.
Starotājs - pamata spriegums VEBO
Kolektora-starotāja piesātinājuma spriegums
Pd - jaudas izkliede
Pieauguma joslas platuma produkts fT
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Sērija
Iepakojums
onsemi Bipolārais transistors (BJT) PNP BIP LFPAK4 3A 100V TR PNP
Datu lapa
2 974Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 PNP Single 100 V 5 V 1.2 V 2.7 W 3 MHz - 65 C + 150 C MJK32CT Reel, Cut Tape


onsemi Bipolārais transistors (BJT) BIP LFPAK4 NPN 3A 100V TR
Datu lapa
2 895Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

MJK31CT Reel, Cut Tape
onsemi MJK31CTWG
onsemi Bipolārais transistors (BJT) NPN BIP LFPAK4 3A 100V TR
Datu lapa
2 848Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

MJK31CT Reel, Cut Tape
onsemi NJVMJK32CTWG
onsemi Bipolārais transistors (BJT) BIP LFPAK4 PNP 3A 100V TR
Datu lapa
2 818Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

MJK32CT Reel, Cut Tape