NTBG022N120M3S 1200V M3S Series SiC MOSFET

onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S Series SiC (Silicon Carbide) MOSFET is optimized for fast switching applications and offers a low 22mΩ drain-to-source on-resistance. The M3S Series SiC MOSFETs provide optimum performance when driven with an 18V gate drive but also work well with a 15V gate drive. This device features planar technology, which works reliably with a negative gate voltage drive and turns off spikes on the gate. 

Rezultāti: 4
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tranzistora polaritāte
Kanālu skaits
VDS - DS pārtraukuma spriegums
Id - nepārtraukta noplūdes strāva
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība
VGS - kanāla-avota spriegums
VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums
Qg - kanāla lādiņš
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Pd - jaudas izkliede
Kanāla režīms
Tirdzniecības nosaukums
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Datu lapa
819Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 148 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
Datu lapa
36Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 52 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 70 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3
Datu lapa
205Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3
Datu lapa
1 587Paredzamais 10.03.2026
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1.2 kV 30 Ohms EliteSiC