1200V SiC MOSFET Six-Pack Modules

SemiQ 1200V SiC MOSFET Six-Pack Modules are highly efficient modules designed to boost cost-efficiency and allow more compact system-level designs. These SemiQ high-speed switching SiC MOSFETs implement a planar technology with rugged gate oxide and feature a reliable body diode. These design elements are arranged in a three-phase bridge topology. 1200V SiC MOSFET Six-Pack Modules also feature split DC negative terminals, press-fit terminal connections, and a Kelvin reference for stable operation. The high-power-density modules offer low switching losses and low junction-to-case thermal resistance. All parts are tested beyond 1350V with 100% wafer-level burn-in (WLBI).

Rezultāti: 3
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Tehnoloģija
Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tranzistora polaritāte
Kanālu skaits
VDS - DS pārtraukuma spriegums
Id - nepārtraukta noplūdes strāva
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība
VGS - kanāla-avota spriegums
VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Pd - jaudas izkliede
Sērija
Iepakojums
SemiQ MOSFET moduļi 1200V 20ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 12 Nedēļas
Min.: 1
Vair.: 1

SiC Press Fit B2 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 30 A 25 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 40 C + 175 C 263 W GCMX Tray
SemiQ MOSFET moduļi 1200V 40ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 12 Nedēļas
Min.: 1
Vair.: 1

SiC Press Fit B2 6 Channel 1.2 kV 30 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 40 C + 175 C 160 W GCMX Tray
SemiQ MOSFET moduļi 1200V 80ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 12 Nedēļas
Min.: 1
Vair.: 1

SiC Press Fit B2 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 29 A 100 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 40 C + 175 C 103 W GCMX Tray