ADL8121 GaAs pHEMT MMIC Low Noise Amplifier

Analog Devices Inc. ADL8121 GaAs (Gallium Arsenide) pHEMT (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) Low Noise Amplifier operates from 0.025GHz to 12.0GHz and provides a typical gain of 16.5dB. The ADL8121 Amplifier features a low a 2.5dB typical noise figure and a typical output third-order intercept (OIP3) of 36dBm. The 21.5dBm saturated output power (PSAT) enables the device to function as a local oscillator (LO) driver for many Analog Devices, Inc., balanced, in-phase and quadrature (I/Q), and image rejection mixers.

Rezultāti: 2
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Darbības frekvence
Darba barošanas spriegums
Darba barošanas strāva
Pieaugums
NF - trokšņa rādītājs
Tips
Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tehnoloģija
P1dB - kompresijas punkts
OIP3 - trešās kārtas pārtveršana
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Sērija
Iepakojums
Analog Devices RF pastiprinātājs 0.1 12 GHz High Linear LNA
Datu lapa
75Paredzamais 20.02.2026
Min.: 1
Vair.: 1

25 MHz to 12 GHz 5 V 95 mA 16.5 dB, 17 dB 2.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-6 GaAs 17 dBm, 21 dBm 34 dBm, 36 dBm - 40 C + 85 C ADL8121 Cut Tape
Analog Devices RF pastiprinātājs 0.1 12 GHz High Linear LNA
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 11 Nedēļas
Min.: 3 000
Vair.: 3 000
Rullis: 3 000

25 MHz to 12 GHz 5 V 95 mA 16.5 dB, 17 dB 2.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-6 GaAs 17 dBm, 21 dBm 34 dBm, 36 dBm - 40 C + 85 C ADL8121 Reel