QPD0011 30W/60W 48V GaN on SiC HEMT

Qorvo QPD0011 30W/60W 48V GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor) is an asymmetric dual-path power amplifier transistor for Doherty applications. The QPD0011 features a 3.3GHz to 3.6GHz frequency range and a maximum Doherty gain of 13.3dB. In each path is a single-stage amplifier transistor. QPD0011 can deliver an average power of 15W in a Doherty configuration.

Rezultāti nav atrasti.
Mēģiniet tālāk mainīt atslēgvārdus vai apmeklējiet mūsu Palīdzības centru.
Meklēšanas ieteikumi
  • Pārbaudiet detaļas numura vai atslēgvārdu pareizrakstību
  • Izmantojiet mazāk vai citus atslēgvārdus
  • Meklēšana pēc 1 detaļas numura vienlaicīgi
  • Piemērot 1 filtru vienā reizē
Produkti un ražotāji
Papildu jautājumi?